[发明专利]一种高纯碳化硅的制备装置和方法在审
| 申请号： | 201811233103.7 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109137077A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 李汶军;丁鼎峰 | 申请（专利权）人： | 台州蓝能新材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00;C01B32/956 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 318055 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯碳化硅的制备装置和方法，涉及高纯材料的生长领域。本发明中：圆柱形石墨桶发热体的底部连接有石墨管；石墨管与真空室的进气口相连接；圆柱形石墨桶的内部放置有若干块高度相同的石墨垫块；石墨坩埚置于圆柱形石墨桶内的石墨垫块上；进气口、石墨管以及石墨坩埚和圆柱形石墨桶之间的空腔构成阻止真空腔中的气体进入石墨坩埚内的隔离层。本发明保证了生长过程中石墨坩埚和空气完全隔绝，避免了真空室内在高温条件下释放出的微量氮气进入石墨坩埚并掺入生长的碳化硅中导致的降低晶体电阻率，从而获得高纯半绝缘碳化硅晶体；通过本发明的碳化硅制备装置和方法，可制得晶体电阻率大于105Ω·cm高纯半绝缘碳化硅晶锭或粉末。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨坩埚 圆柱形石墨 制备装置 石墨管 进气口 半绝缘碳化硅 高纯碳化硅 晶体电阻率 石墨垫块 碳化硅 高纯 底部连接 高纯材料 高温条件 生长过程 微量氮气 发热体 隔离层 真空腔 真空室 生长 掺入 晶锭 空腔 室内 释放 保证 | ||
【主权项】：
1.一种高纯碳化硅的制备装置，该生长装置包括：真空室、感应线圈（7）、石墨毡（3）、圆柱形石墨桶（9）和石墨坩埚（8），其特征在于：所述圆柱形石墨桶（9）的底部连接有石墨管（12）；所述石墨管（2）与真空室的进气口（13）相连接；所述圆柱形石墨桶（9）的内部放置有若干块高度相同的石墨垫块（11）；所述石墨坩埚（8）置于圆柱形石墨桶（9）内的石墨垫块（11）上；所述进气口（13）、石墨管（9）以及石墨坩埚（8）和圆柱形石墨桶（9）之间的空腔构成阻止真空腔中的气体进入石墨坩埚（8）内的隔离层。
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