[发明专利]半导体存储器器件和半导体存储器器件中定义数据的方法有效
| 申请号： | 201811233219.0 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109767802B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 长濑宽和 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 欧阳帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体存储器器件和半导体存储器器件中定义数据的方法。提供一种能够存储多值数据同时抑制为存储器单元设置的阈值电压的增加的半导体存储器器件。根据实施例的半导体存储器器件包括多个存储器单元对，每个存储器单元对具有第一存储器单元和第二存储器单元。第一存储器单元被配置为设置至少一个阈值电压，而第二存储器单元被配置为设置多个阈值电压。存储在存储器单元对中的数据使用第二存储器单元的阈值电压和第一存储器单元的阈值电压之间的差来定义。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 器件 定义 数据 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器器件，包括多个存储器单元，其中存储器单元具有多个存储器单元对，每个存储器单元对具有第一存储器单元和第二存储器单元，其中所述第一存储器单元被配置为设置至少一个阈值电压，其中所述第二存储器单元被配置为设置多个阈值电压，以及其中存储在存储器单元对中的数据使用所述第二存储器单元的阈值电压和所述第一存储器单元的阈值电压之间的差来定义。
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