[发明专利]用于制造含锂薄膜层状结构的气相沉积方法在审
| 申请号： | 201811234746.3 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN109402562A | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | D·C·A·史密斯;B·E·海丹;C·E·李;A·阿纳斯塔索普洛斯;L·M·伯金斯;K·J·哈钦斯 | 申请（专利权）人： | 爱利卡技术有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/08;C23C14/58;C03C4/18;H01M4/04;H01M4/1391;H01M10/052;H01M10/0562;H01M10/058 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 谭冀 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种用于制备多层薄膜结构的气相沉积方法包括：提供准备用于第一层的化合物和准备用于第二层的化合物的每个组分元素的蒸气源，其中该蒸气源包括至少锂源、氧源、一种或多种玻璃形成元素的一个或多个源，及一种或多种过渡金属的一个或多个源；将基材加热至第一温度；向已加热的基材上共沉积来自至少锂、氧和该一种或多种过渡金属的蒸气源的组分元素，其中该组分元素在该基材上反应，以形成晶态含锂过渡金属氧化物化合物的层；将该基材加热至在距该第一温度在大致170℃或更小的温度范围内的第二温度；以及向已加热的基材上共沉积来自至少锂、氧和该一种或多种玻璃形成元素的蒸气源的组分元素，其中该组分元素在该基材上反应，以形成非晶态含锂氧化物或氧氮化物化合物的层。 | ||
| 搜索关键词： | 基材 组分元素 蒸气源 加热 玻璃形成元素 过渡金属 气相沉积 共沉积 含锂过渡金属氧化物 多层薄膜结构 含锂氧化物 层状结构 氧氮化物 第一层 非晶态 锂薄膜 晶态 氧源 锂源 制备 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制备多层薄膜结构的气相沉积方法，该方法包括：提供准备用于第一层的化合物和准备用于第二层的化合物的每个组分元素的蒸气源，其中该蒸气源包括至少锂源、氧源、一种或多种玻璃形成元素的一个或多个源，及一种或多种过渡金属的一个或多个源；将基材加热至第一温度；向已加热的基材上共沉积来自至少锂、氧和该一种或多种过渡金属的蒸气源的组分元素，其中该组分元素在该基材上反应，以形成晶态含锂过渡金属氧化物化合物的层；将该基材加热至第二温度；以及向已加热的基材上共沉积来自至少锂、氧和该一种或多种玻璃形成元素的蒸气源的组分元素，其中该组分元素在该基材上反应，以形成非晶态含锂氧化物或氧氮化物化合物的层；其中该第一温度和该第二温度在200℃或更小的温度范围内。
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