[发明专利]光刻方法在审
| 申请号： | 201811235210.3 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109782547A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 吴政宽;郑博中;陈立锐;石志聪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;H01L21/66 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种光刻方法。上述方法包括放置具有多个曝光场域的一半导体晶圆在一晶圆平台上方。上述方法还包括投射一极紫外光在半导体晶圆上。上述方法还包括在极紫外光投射至半导体晶圆的第一群曝光场域的同时，通过施加一第一调控电压至晶圆平台的电极以固定半导体晶圆在晶圆平台。第一调控电压的范围介于约1.6kV至约3.2kV。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体晶圆 晶圆平台 调控电压 极紫外光 曝光场 投射 光刻 固定半导体 电极 晶圆 施加 | ||
【主权项】：
1.一种光刻方法，适用于半导体生产，该光刻方法包括：放置一半导体晶圆在一晶圆平台上方并对该半导体晶圆的一地形执行一第一次调整，其中该第一次调整是通过施加一初始电压至该晶圆平台的一电极；在该第一次调整完成后测量该半导体晶圆的该地形；对该半导体晶圆的已调整的该地形执行一第二次调整，其中该第二次调整是根据该测量结果施加一第一调控电压至该晶圆平台的该电极：以及投射一极紫外光至该半导体晶圆。
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