[发明专利]一种纳米Ag嵌入式多级电极材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米Ag嵌入式多级电极材料的制备方法，属于电容材料领域。通过水醇体系的改变、分散剂用量、沉积次数及时间的控制，可有效控制化学反应所析出的嵌入式多级电极材料的形状和结构；通过不同次数的反应控制可调节制备材料的微观结构，可形成单层、多层以致不同织构的Ag/Co3O4结构，使其产生所需的催化效果及电容量。本发明的制备工艺简单，制备出的材料具有多孔孔道，比表面积大，可广泛应用于能源转化与存储、催化等领域。

主权项

1.一种纳米Ag嵌入式多级电极材料的制备方法，该方法包括以下步骤：（1）取钴的可溶性盐溶解于一定量的去离子水中，去离子水的用量为钴盐摩尔量的10‑20倍，磁力搅拌，混合均匀后，制得溶液A；（2）取银的可溶性盐溶解于小分子量醇溶液中，醇溶液的用量为银盐摩尔量的10‑20倍，加入银盐摩尔量5‑8倍的络合剂，磁力搅拌，混合均匀后，制得溶液B；（3）取银盐摩尔量2‑3倍的丁二酮肟作为分散剂，与银盐摩尔量2‑3倍三乙胺混合，待其完全溶解后将其与溶液A、B搅拌均匀，超声处理10‑20min，加入银盐摩尔量5‑10倍十二烷基硫酸钠，搅拌均匀后，超声处理10‑20min，制得溶液C；（4）将溶液A、溶液B、溶液C搅拌均匀，然后将混合物置于60‑80℃的真空干燥箱干燥5‑8小时，制得Co3O4/Ag电极材料；（5）反复步骤（4）沉积多次，可形成纳米Ag嵌入式多级电极材料。