[发明专利]一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统有效
申请号: | 201811236611.0 | 申请日: | 2018-10-23 |
公开(公告)号: | CN109472348B | 公开(公告)日: | 2022-02-18 |
发明(设计)人: | 温世平;魏华强;黄廷文;曾志刚 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
主分类号: | G06N3/04 | 分类号: | G06N3/04;G06N3/063 |
代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 李智;曹葆青 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统,包括:输入层、特征提取层和分类输出层,特征提取层包括:数据存储器、第一忆阻交叉阵列、第一DA转换器和AD转换器,所述分类输出层包括:第二DA转换器、第二忆阻交叉阵列和电压比较器;所述第一忆阻交叉阵列,用于进行特征提取;所述第二忆阻交叉阵列,用于进行特征分类,所述电压比较器,用于对多个模拟电压进行比较,得到多个模拟电压的比较结果;将比较结果中的最大值作为输入层的数字信号的分类结果。本发明系统尺寸更小,功耗更低。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 交叉 阵列 lstm 神经网络 系统 | ||
【主权项】:
1.一种基于忆阻交叉阵列的LSTM神经网络系统,包括:输入层、特征提取层和分类输出层,其特征在于,所述特征提取层包括:数据存储器、第一忆阻交叉阵列、第一DA转换器和AD转换器,其中,数据存储器,用于存储输入层的数字信号和特征提取后的数字信号;第一DA转换器,用于将输入层的数字信号转化为第一模拟电压;第一忆阻交叉阵列,用于对第一模拟电压进行特征提取,得到第一电流;AD转换器,用于将第一电流转化为特征提取后的数字信号;所述分类输出层包括:第二DA转换器、第二忆阻交叉阵列和电压比较器;其中,第二DA转换器,用于将特征提取后的数字信号转化为第二模拟电压;第二忆阻交叉阵列,用于对第二模拟电压进行特征分类,得到多个模拟电压;电压比较器,用于对多个模拟电压进行比较,得到多个模拟电压的比较结果;将比较结果中的最大值作为输入层的数字信号的分类结果。
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