[发明专利]N型双面太阳电池及其制备方法

摘要

本发明提供的N型双面太阳电池，电池正电极一侧依次为：电池正电极、氮化硅层、P型掺杂PolySi多晶硅层、第一二氧化硅钝化层、N型硅衬底；电池负电极一侧依次为：电池负电极、n型区域掺杂PolySi多晶硅层、本征PolySi多晶硅层、第二二氧化硅钝化层、N型硅衬底。还提供了N型双面太阳电池的制备方法。本发明提供的N型双面太阳电池具备更低的界面态密度，而P型和N型掺杂层具备更可控的掺杂浓度，拥有更高的填充因子。N型双面太阳电池的制备方法，采用LPCVD制备双面无绕镀TOPCon结构双面电池，同时运用掩膜，激光开槽和激光掺杂等工艺方式实现双面电池结构，并最大限度的保留了硅衬底的少数载流子寿命。

主权项

1.一种N型双面太阳电池，其特征在于，电池正电极一侧依次为：电池正电极、氮化硅层、P型掺杂PolySi多晶硅层、第一二氧化硅钝化层、N型硅衬底；电池负电极一侧依次为：电池负电极、n型区域掺杂PolySi多晶硅层、本征PolySi多晶硅层、第二二氧化硅钝化层、N型硅衬底；其中，电池正电极穿过第一二氧化硅钝化层与P型掺杂PolySi多晶硅层形成欧姆接触，电池负电极穿过第二二氧化硅钝化层与n型区域掺杂PolySi多晶硅层形成欧姆接触。