[发明专利]MOS场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201811237197.5 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN111092112B | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈耿川 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑星 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MOS场效应晶体管及其制造方法，所述制造方法先沉积形成不掺杂或轻掺杂的多晶硅层，在刻蚀所述多晶硅层形成栅极之后，将沟道区和隔离区的交界区域上的不掺杂或轻掺杂的栅极多晶硅保护起来，以在源漏离子注入时对其他区域的栅极多晶硅进行离子掺杂，由此使得最终形成的栅极在沟道区边缘上具有不掺杂的第一多晶硅层(为不掺杂或轻掺杂的多晶硅)和掺杂的第二多晶硅层的层叠结构，而在沟道区其他位置上均为掺杂的第二多晶硅层，可以提高MOS场效应晶体管的沟道边缘处的阈值电压。可选地,在刻蚀所述多晶硅以形成栅极之前，先将交界区域上的多晶硅保护起来，而对其他区域的多晶硅进行离子掺杂。 | ||
| 搜索关键词： | mos 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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