[发明专利]一种Ag/Zn2 有效
| 申请号： | 201811238087.0 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109355523B | 公开（公告）日： | 2020-06-26 |
| 发明（设计）人： | 张玲洁;沈涛;叶晨琳;杨辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C22C5/06 | 分类号： | C22C5/06;C22C32/00;C22C1/05;B22F3/105;H01H1/0237 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 周世骏 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明涉及导电合金制备技术领域，旨在提供一种Ag/Zn |
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| 搜索关键词： | 一种 ag zn base sub | ||
【主权项】：
1.一种Ag/Zn2SnO4新型导电合金，其特征在于，该导电合金是由下述质量百分比的原料组分经混合、球磨、成型和烧结制得：银粉80～86％；Zn2SnO4粉体12～18％；银溶胶1.2～1.8％；烧结助剂0.2～0.8％。
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