[发明专利]硅基晶圆的分束激光切割方法有效
| 申请号： | 201811238799.2 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109352184B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 詹苏庚;吴迪;彭立和;王红;丁锋 | 申请（专利权）人： | 深圳赛意法微电子有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/38 | 分类号： | B23K26/38;B23K26/402;B23K26/067;B23K26/02;B23K26/70 |
| 代理公司： | 广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288 | 代理人： | 赵赛;蔡碧慧 |
| 地址： | 518038 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开硅基晶圆的分束激光切割方法，其用于将所述硅基晶圆切割成独立的芯片，其特征在于，其包括以下步骤：预处理步骤；衍射分光步骤：用光栅装置(106)将单束激光(105)分成多束激光(108)，并形成光束图案；分束切割步骤：使用所述样式激光切割刀对所述硅基晶圆进行切割；和后处理步骤。本发明达到了提高了晶圆切割速率、同时提升了晶圆的切割品质的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基晶圆 激光 切割 方法 | ||
【主权项】：
1.硅基晶圆的分束激光切割方法，其用于将所述硅基晶圆(101)切割成独立的芯片(10)，其特征在于，其包括以下步骤：预处理步骤：将所述硅基晶圆(101)进行预先处理，以适合进行激光切割操作；衍射分光步骤：用光栅装置(106)将单束激光(105)分成多束激光(108)，并形成光束图案，称之为样式激光切割刀，其中，所述样式激光切割刀的激光束与切割道(118)所成夹角(143)、所述样式激光切割刀的激光束的频率、步进(117)、功率能够通过软件程序来确定；分束切割步骤：使用所述样式激光切割刀对所述硅基晶圆(101)进行切割，其包括以下子步骤：开槽子步骤：使用第一高频率、第一低功率、第一小步进、第一小角度的样式激光切割刀对所述切割道(118)进行开槽，形成激光切槽(120)，其中，所述样式激光切割刀的光束数量为至少两束激光，所述样式激光切割刀的光束图案为双线光束簇(111)，所述切割道(118)的宽度大于所述激光切槽(120)的宽度；深度切割子步骤：使用第二低频率、第二高功率、第二固定步进、第二零角度的样式激光切割刀对所述激光切槽(120)进行切割，并通过多次切割同一条所述激光切槽(120)将所述硅基晶圆(101)切透，形成激光通槽(220)，其中，所述样式激光切割刀的光束数量为至少两束激光，所述样式激光切割刀的光束图案为线性光束簇(112)；V型修边子步骤：使用第三较低频率、第三较高功率、第三小步进、第三小角度的样式激光切割刀对所述激光通槽(220)进行修边，其中，所述样式激光切割刀的光束数量为至少三束激光，所述样式激光切割刀的光束图案为箭头光束簇(115)；后处理步骤：对分束切割步骤完成后的所述硅基晶圆(101)进行清理和/或保护。
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