[发明专利]离子阱用基座、离子阱及双曲面四极杆的加工方法在审
| 申请号： | 201811239470.8 | 申请日： | 2018-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN109300770A | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 钟蠡;吴定柱;刘兴宝;雷天才;蒋家东;潘晓斌 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所 |
| 主分类号： | H01J49/42 | 分类号： | H01J49/42 |
| 代理公司： | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人： | 高俊 |
| 地址： | 621000*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种离子阱用基座、离子阱及双曲面四极杆的加工方法，离子阱用基座，该基座用于双曲面线性离子阱，所述基座包括基座本体及设置在基座本体上的通孔，所述通孔为圆形孔；还包括设置于所述通孔孔壁上的槽体，所述槽体的数量为四条，且槽体均为长度方向沿着所述通孔轴线方向的条形槽，且四条槽体环形均布于所述孔壁上；各槽体均贯通基座本体的两端。所述双曲面四极杆包括所述基座，所述加工方法为所述双曲面四极杆的加工方法。以上结构设计及加工方法可使得四个双曲面极杆的单独加工变成一体化加工，可降低双曲面极杆加工难度、提高加工效率和产品成品率，同时可避免双曲面极杆加工过程以及装配过程中双曲面极杆与基座本体形成累计误差。 | ||
| 搜索关键词： | 双曲面 离子阱 基座本体 四极杆 槽体 极杆 加工 通孔 产品成品率 线性离子阱 一体化加工 单独加工 环形均布 加工效率 通孔孔壁 通孔轴线 装配过程 条形槽 圆形孔 孔壁 条槽 贯通 | ||
【主权项】：
1.离子阱用基座，该基座用于双曲面线性离子阱，所述基座包括基座本体(1)及设置在基座本体(1)上的通孔(4)，其特征在于，所述通孔(4)为圆形孔；还包括设置于所述通孔(4)孔壁上的槽体(4)，所述槽体(4)的数量为四条，且槽体(4)均为长度方向沿着所述通孔(4)轴线方向的条形槽，且四条槽体(4)环形均布于所述孔壁上；各槽体(4)均贯通基座本体(1)的两端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国工程物理研究院机械制造工艺研究所，未经中国工程物理研究院机械制造工艺研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811239470.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种研究大分子电荷量的方法
- 下一篇：晶片清洁装置及其使用方法
