[发明专利]激光设备及其工作方法有效
| 申请号： | 201811241857.7 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109378284B | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/268;H01L27/32 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;张博 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种激光设备及其工作方法，属于显示技术领域。其中，激光设备，包括：准分子激光源；第一光学模组，用于在接收到所述准分子激光源发出的激光时，将所述准分子激光源发出的激光传导至第一工艺腔室；第二光学模组，用于在接收到所述准分子激光源发出的激光时，将所述准分子激光源发出的激光传导至第二工艺腔室，所述第二工艺腔室所执行工艺的激光稳定性要求低于所述第一工艺腔室所执行工艺的激光稳定性要求；控制机构，用于控制所述第一光学模组接收所述准分子激光源发出的激光或控制第二光学模组接收所述准分子激光源发出的激光。通过本发明的技术方案能够降低激光设备的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 激光设备 及其 工作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种激光设备，其特征在于，包括：准分子激光源；第一光学模组，用于在接收到所述准分子激光源发出的激光时，将所述准分子激光源发出的激光传导至第一工艺腔室；第二光学模组，用于在接收到所述准分子激光源发出的激光时，将所述准分子激光源发出的激光传导至第二工艺腔室，所述第二工艺腔室所执行工艺的激光稳定性要求低于所述第一工艺腔室所执行工艺的激光稳定性要求；控制机构，用于控制所述第一光学模组接收所述准分子激光源发出的激光或控制第二光学模组接收所述准分子激光源发出的激光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
