[发明专利]一种数据存储设备的自毁装置及其方法有效

专利信息
申请号: 201811242187.0 申请日: 2018-10-24
公开(公告)号: CN109543469B 公开(公告)日: 2023-03-17
发明(设计)人: 石庆谱;张兴恩 申请(专利权)人: 广东禅信通科技有限公司
主分类号: G06F21/78 分类号: G06F21/78
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 龙栢强
地址: 528000 广东省佛山市南海区狮*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开一种数据存储设备的自毁装置及其方法,装置包括:按键、单片机、升压电路、基础电压端、接地端、防反二极管、上拉电阻,按键的一端分别与上拉电阻的一端、单片机的第一GPIO口连接,上拉电阻的另一端与基础电压端连接,按键的另一端与接地端连接,升压电路包括升压芯片、电感、场效应管、续流二极管、第一电阻、第二电阻,升压芯片用于将所述基础电压抬升至摧毁电压。方法包括:判断自毁装置是否处于自毁激活模式;若所述自毁装置处于自毁激活模式下,则判断是否接收到自毁信号;若接收到所述自毁信号,则激发升压电路,用电压烧毁数据存储设备的存储芯片。本发明创造可用于信息安全技术领域。
搜索关键词: 一种 数据 存储 设备 自毁 装置 及其 方法
【主权项】:
1.一种数据存储设备的自毁装置,其特征在于,包括:按键、单片机、升压电路、基础电压端、接地端、防反二极管、上拉电阻,所述按键的一端分别与上拉电阻的一端、单片机的第一GPIO口连接,所述上拉电阻的另一端与基础电压端连接,所述按键的另一端与接地端连接,所述升压电路包括升压芯片、电感、场效应管、续流二极管、第一电阻、第二电阻,所述场效应管的源极与基础电压端连接,所述场效应管的栅极与单片机的第二GPIO口连接,所述场效应管的漏极分别与电感的一端、升压芯片的电源端连接,所述电感的另一端分别与续流二极管的正极、升压芯片的开关端连接,所述续流二极管的负极分别与第一电阻的一端、防反二极管的正极连接,所述第一电阻的另一端分别与升压芯片的反馈端、第二电阻的一端连接,所述第二电阻的另一端与接地端连接,所述防反二极管的负极外接存储芯片的电源端,所述升压芯片用于将基础电压抬升至摧毁电压。
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