[发明专利]一种新型离子注入型PD SOI器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201811242517.6 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109119464B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 黄瑞;周广正;代京京 | 申请（专利权）人： | 创智联慧（重庆）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳泛航知识产权代理事务所(普通合伙) 44867 | 代理人： | 邓爱军 |
| 地址： | 401120 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明提供一种新型离子注入型PD SOI器件，包括从下往上依次层叠由底部硅层、中间BOX埋层和顶层硅膜组成的SOI衬底，顶层硅膜两侧形成有浅槽隔离层，顶层硅膜中注入有P离子形成P型硅，顶层硅膜上表面依次设有栅极氧化物和栅电极并以此组成Y型分布栅极，栅极正下方顶层硅膜中注入金属离子形成金属层，栅极两侧源漏区掺杂形成有源漏区超浅结，栅极周围形成有栅极侧墙，源漏区超浅结下方离子注入形成有源漏区晕环区，源栅漏区表面形成有硅化物，源漏极硅化物表面形成有源漏电极。本发明还提供一种前述器件制备方法。本申请通过向顶层硅膜中注入金属离子形成金属层，有效减轻PD SOI器件中浮体效应，且Y型栅可以减少占用芯片面积，增加栅极接触面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 离子 注入 pd soi 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种新型离子注入型PD SOI器件，其特征在于，包括SOI衬底，所述SOI衬底包括从下往上依次层叠的底部硅层、中间BOX埋层和顶层硅膜，所述顶层硅膜的两侧形成有浅槽隔离层，所述顶层硅膜中注入有P离子形成P型硅，所述顶层硅膜的上表面依次设有栅极氧化物和栅电极，所述栅极氧化物和栅电极组成栅极，所述栅极在顶层硅膜的上表面呈Y型分布，所述栅极正下方的顶层硅膜中注入金属离子形成有一金属层，所述栅极一侧的源区掺杂形成有源区超浅结，所述栅极另一侧的漏区掺杂形成有漏区超浅结，所述栅极的周围形成有栅极侧墙，所述源区超浅结下方离子注入形成有源区晕环区，所述漏区超浅结下方离子注入形成有漏区晕环区，所述源区超浅结的表面形成有源极硅化物，所述栅极的表面形成有栅极硅化物，所述漏区超浅结的表面形成有漏极硅化物，所述源极硅化物的表面形成有源电极，所述漏极硅化物的表面形成有漏电极。
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