[发明专利]半导体结构在审
| 申请号： | 201811243635.9 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109786461A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 王俊杰;林钰庭;白岳青;张世杰;杨怀德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L27/088;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供半导体结构及其制造方法。半导体结构包含栅极结构、栅极间隔物和源极/漏极结构。栅极结构位于鳍片结构上方。栅极间隔物位于鳍片结构上方且位于栅极结构的侧壁表面上。源极/漏极结构位于鳍片结构中且相邻于栅极间隔物。源极/漏极结构包含第一源极/漏极外延层和第二源极/漏极外延层。第一源极/漏极外延层接触鳍片结构。第一源极/漏极外延层连接至第二源极/漏极外延层的一部分，第二源极/漏极外延层的此部分低于鳍片结构的顶表面。第一源极/漏极外延层的晶格常数不同于第二源极/漏极外延层的晶格常数。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 外延层 鳍片结构 半导体结构 栅极间隔物 栅极结构 晶格常数 侧壁表面 顶表面 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：一栅极结构，位于一鳍片结构上方；一栅极间隔物，位于该鳍片结构上方且位于该栅极结构的一侧壁表面上；一源极/漏极结构，位于该鳍片结构中且相邻于该栅极间隔物，其中该源极/漏极结构包括：一第一源极/漏极外延层，接触该鳍片结构；以及一第二源极/漏极外延层，位于该第一源极/漏极外延层上方，其中该第一源极/漏极外延层连接至该第二源极/漏极外延层的一部分，该第二源极/漏极外延层的该部分低于该鳍片结构的一顶表面，其中该源极/漏极结构的该第一源极/漏极外延层的晶格常数不同于该源极/漏极结构的该第二源极/漏极外延层的晶格常数。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811243635.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：低k栅极间隔件及其形成
- 下一篇：开关元件及其制造方法
- 同类专利
- 专利分类
