[发明专利]悬臂梁结构的微型电场传感器的制备工艺流程有效
| 申请号： | 201811243883.3 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109437089B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 胡军;薛芬;何金良;刘洋;王善祥;余占清;曾嵘 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;G01R29/08 |
| 代理公司： | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 高正方 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种悬臂梁结构的微型电场传感器的制备工艺流程，依次进行一下步骤：蚀硅衬底材料形成对准标记，加热硅片，沉积压电薄膜PZT，图形化刻蚀，释放硅片欧姆接触区，蒸发金属电极，刻蚀悬臂梁，对硅片底部实施减薄工艺，图形化刻蚀减薄后的硅片底部，键合底座，对加工后的晶片进行划片。其有益效果是：保障了传感器件的稳定性和耐久性。 | ||
| 搜索关键词： | 悬臂梁 结构 微型 电场 传感器 制备 工艺流程 | ||
【主权项】：
1.一种具有悬臂梁结构的微型电场传感器的制备工艺流程，其特征在于，依次进行下述步骤：蚀硅衬底材料形成对准标记，加热硅片以形成硅晶格保护层，在掺杂后的硅片表面通过溶胶凝胶法沉积压电薄膜PZT，对PZT薄膜及种子层Pt进行图形化刻蚀，利用ICP/RIE刻蚀工艺释放硅片欧姆接触区域的表面二氧化硅层，蒸发金属电极，利用ICP刻蚀工艺图形化刻蚀表面氧化硅及一定深度的硅，使晶片上表面呈现悬臂梁形状的凸起，对硅片底部实施减薄工艺，图形化刻蚀减薄后的硅片底部，键合底座，对加工后的晶片进行划片。
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