[发明专利]基于压电效应和压阻效应多模态耦合的微型电场传感器件有效
| 申请号： | 201811243886.7 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109212326B | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 何金良;胡军;韩志飞;薛芬;王善祥;张波;曾嵘 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | G01R29/08 | 分类号： | G01R29/08 |
| 代理公司： | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人： | 高正方 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于压电效应和压阻效应多模态耦合的微型电场传感器件，包括沿水平方向放置的半导体薄膜，所述半导体薄膜的下方设有水平方向放置的衬底，所述半导体薄膜与衬底之间通过中间夹层支撑形成腔体结构，所述半导体薄膜的上表面均设有压阻材料，所述压阻材料包括横向‑横向模态的压电膜、横向‑纵向模态的压电块，横向‑横向模态中，所述半导体薄膜的顶面设有压电膜；横向‑纵向模态中，所述半导体薄膜的底面设有压电块。其有益效果是：体积小、集成程度高，有效降低电路温漂、降低零点漂移、提升测量精度，可实现宽频带、高场强及复杂环境下的电场准确测量，在带电情况下也可进行。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 压电效应 效应 多模态 耦合 微型 电场 传感 器件 | ||
【主权项】：
1.一种基于压电效应和压阻效应多模态耦合的微型电场传感器件，包括沿水平方向放置的半导体薄膜(3)，所述半导体薄膜(3)的下方设有水平方向放置的衬底(6)，所述半导体薄膜(3)与衬底(6)之间通过中间夹层(4)支撑形成腔体结构，其特征在于，所述半导体薄膜(3)的上表面设有离子掺杂区构成压阻材料(2)，，横向‑横向模态下，所述半导体薄膜(3)的顶面设有压电膜(1)，横向‑纵向模态下，所述半导体薄膜(3)的底面设有压电块(5)。
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