[发明专利]具有悬臂梁结构的高灵敏度微型电场传感器件有效
申请号: | 201811243889.0 | 申请日: | 2018-10-24 |
公开(公告)号: | CN109212327B | 公开(公告)日: | 2020-08-28 |
发明(设计)人: | 何金良;胡军;薛芬;刘洋;王善祥;韩志飞;庄池杰;曾嵘 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
主分类号: | G01R29/08 | 分类号: | G01R29/08 |
代理公司: | 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 | 代理人: | 高正方 |
地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种具有悬臂梁结构的高灵敏度微型电场传感器件,包括底座,所述底座上通过固定件安装有半导体薄膜,所述半导体薄膜掺杂内镶嵌所述离子掺杂电阻区,所述压电薄膜沉积在半导体薄膜顶面。其有益效果是:保证了电场传感器具有灵敏度高、动态范围广、频率范围宽的应用目标。半导体薄膜离子掺杂区响应幅值大,器件灵敏度高。采集电力系统的稳定运行特征量外,可监测故障及各种过电压的特征,为电网故障诊断及绝缘配合等研究提供精确的大数据。易于微型化,集成化程度高,成本低,适合批量生产,因而适用于大电网线路及电气设备的密集型布置,以全面采集电气信息,反映电力系统的特征。 | ||
搜索关键词: | 具有 悬臂梁 结构 灵敏度 微型 电场 传感 器件 | ||
【主权项】:
1.一种具有悬臂梁结构的高灵敏度微型电场传感器件,包括底座(6),所述底座(6)上通过固定件(5)安装有半导体薄膜(3),其特征在于,所述半导体薄膜(3)上镶嵌有离子掺杂电阻区(1),所述压电薄膜(2)沉积与所述半导体薄膜(3)顶面。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学,未经清华大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811243889.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。