[发明专利]具有电容器的半导体器件的结构和形成方法有效
| 申请号： | 201811243946.5 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109817607B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 罗国骏;林炫政;钟久华;张震谦;潘汉宗 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种具有电容器的半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括半导体衬底以及位于半导体衬底上方的第一电容器和第二电容器。第一电容器具有第一电容器介电层，以及第二电容器具有第二电容器介电层。第一电容器介电层位于第二电容器介电层和半导体衬底之间。第一电容器和第二电容器并联电连接。第一电容器具有第一线性温度系数和第一平方电压系数。第二电容器具有第二线性温度系数和第二平方电压系数。第一线性温度系数与第二线性温度系数的第一比率和第一平方电压系数与第二平方电压系数的第二比率中的一个或两个是负的。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容器 半导体器件 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件结构，包括：半导体衬底；以及第一电容器和第二电容器，位于所述半导体衬底上方，其中：所述第一电容器具有第一电容器介电层，所述第二电容器具有第二电容器介电层，所述第一电容器介电层位于所述第二电容器介电层和所述半导体衬底之间；所述第一电容器和所述第二电容器并联电连接；所述第一电容器具有第一线性温度系数和第一平方电压系数，所述第二电容器具有第二线性温度系数和第二平方电压系数，以及所述第一线性温度系数与所述第二线性温度系数的第一比率和所述第一平方电压系数与所述第二平方电压系数的第二比率中的至少一个是负的。
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