[发明专利]半导体发光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811245220.5 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109713102A | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 矢羽田孝辅 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡胜有;董文国 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。提供了具有很难从其剥离的多层膜的半导体发光器件及其制造方法。所述发光器件具有：在第一表面上具有不平坦形状的不平坦基底；在所述不平坦基底的所述不平坦形状上的第一导电型第一半导体层；在所述第一半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电型第二半导体层；以及覆盖所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的至少一部分的第三DBR。所述发光器件是倒装芯片型的。在所述不平坦基底的外周中，所述不平坦形状具有未被所述第一半导体层覆盖而暴露的暴露部。所述第三DBR覆盖所述不平坦形状的所述暴露部的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 半导体发光器件 平坦形状 发光层 基底 发光器件 导电型 暴露 不平 覆盖 平坦 制造 倒装芯片型 第一表面 多层膜 外周 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：不平坦基底，在所述不平坦基底的第一表面上具有不平坦形状；在所述不平坦基底的所述不平坦形状上的第一导电型第一半导体层；在所述第一半导体层上的发光层；在所述发光层上的第二导电型第二半导体层；以及覆盖所述第一半导体层、所述发光层和所述第二半导体层的至少一部分的分布式布拉格反射体，其中所述半导体发光器件是倒装芯片型的；在所述不平坦基底的外周中，所述不平坦形状具有未被所述第一半导体层覆盖而暴露的暴露部；以及所述分布式布拉格反射体覆盖所述不平坦形状的所述暴露部的至少一部分。
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