[发明专利]高密度锗纳米线的制备方法

摘要

本发明提供一种高密度锗纳米线的制备方法，包括如下步骤：1)提供一锗衬底，锗衬底包括相对的第一表面及第二表面；2)于锗衬底的第一表面生长石墨烯；3)于锗衬底的第一表面形成铟催化剂层，且铟催化剂层至少覆盖石墨烯；4)于铟催化剂层远离锗衬底的表面生长锗纳米线。本发明无需采用电子束蒸发的方式沉积金属，大大简化了锗纳米线制备的工艺流程，并降低成本，非常适合于大规模低成本的锗纳米线的制备；本发明采用铟作为催化剂生长的锗纳米线具有较高的长宽比，同时具有较高的表面密度，这些特点使得该方法更便于锗纳米线的转移与应用，从而为基于四族纳米线的器件制备奠定工艺基础；同时，本发明制备的锗纳米线具有很好的稳定性和重复性。

主权项

1.一种高密度锗纳米线的制备方法，其特征在于，所述高密度锗纳米线的制备方法包括如下步骤：1)提供一锗衬底，所述锗衬底包括相对的第一表面及第二表面；2)于所述锗衬底的第一表面生长石墨烯；3)于所述锗衬底的第一表面形成铟催化剂层，且所述铟催化剂层至少覆盖所述石墨烯；4)于所述铟催化剂层远离所述锗衬底的表面生长锗纳米线。