[发明专利]一种超结结构的制作方法有效
| 申请号： | 201811247752.2 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109461767B | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市金鑫城纸品有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 44504 | 代理人： | 马世中 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超结结构及其制作方法，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面形成沟槽掩膜层；对所述第一外延层进行第一刻蚀形成至少一个沟槽；在所述沟槽侧壁及所述沟槽掩膜层侧壁形成多晶硅层，进行对所述沟槽的第二刻蚀，当去除所述多晶硅层时停止所述第二刻蚀；在所述沟槽内填充多个第二导电类型的第二外延层，所述多个第二外延层自所述沟槽底部至顶部依次叠加，且多个第二外延层的浓度自所述沟槽底部至顶部依次降低。上述方法形成的所述超结结构可靠性高，电荷分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种超结结构的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一导电类型的衬底，在所述衬底上形成第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面形成沟槽掩膜层；对所述第一外延层进行第一刻蚀形成至少一个沟槽；在所述沟槽侧壁及所述沟槽掩膜层侧壁形成多晶硅层，进行对所述沟槽的第二刻蚀，当去除所述多晶硅层时停止所述第二刻蚀；在所述沟槽内填充多个第二导电类型的第二外延层，所述多个第二外延层自所述沟槽底部至顶部依次叠加，且多个第二外延层的浓度自所述沟槽底部至顶部依次降低。
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