[发明专利]一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 201811248124.6 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109449068B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 邹继军;张涛;彭新村;邓文娟 | 申请（专利权）人： | 东华理工大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J9/12;H01J29/04 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330013 江西省南*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极，以n型GaAs作为衬底层，首先在该衬底层上顺序生长Al组分由0开始呈线性递增和n型掺杂浓度按指数递减的n型变带隙AlGaAs电子提供层，再依次生长n型AlGaAs电子提供层、p型AlGaAs电子注入层，随后生长Al组分由高到低呈线性递减至0和p型掺杂浓度按指数递增的p型变带隙AlGaAs电子发射层，最后依次生长p型GaAs电子发射层、As保护层。该阴极利用了晶体管的电子注入和变带隙AlGaAs的内建电场，实现了一种不同于传统光电发射的电子发射形式—无需激发光源的电注入电子发射。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 负电子 亲和 势变带隙 algaas gaas 注入 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极，其特征在于：以n型GaAs作为衬底层，在该衬底层上顺序生长Al组分由低到高呈线性递增的n型变带隙AlGaAs电子提供层、n型AlGaAs电子提供层、p型AlGaAs电子注入层，以及Al组分由高到低呈线性递减至0的p型变带隙AlGaAs电子发射层、p型GaAs电子发射层、As保护层；而后利用等离子体增强化学气相沉积技术在变带隙AlGaAs/GaAs材料上沉积SiO2绝缘层；再利用感应耦合等离子刻蚀技术得到变带隙AlGaAs/GaAs阵列发射层，然后利用电子束蒸发制备Ti/Pt/Au电子注入层电极；最后在超高真空系统中进行Cs/O激活，在变带隙AlGaAs阵列发射层上沉积Cs‑O激活层，形成一种负电子亲和势变带隙AlGaAs/GaAs电注入阴极。
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