[发明专利]采用高通量技术制备梯度Nb-Si基合金薄膜的方法有效
| 申请号： | 201811248395.1 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109207952B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 周春根;沙江波;姜威 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/16;C23C14/02;C23C14/54;C22C27/02;G01N23/223;G01N21/65 |
| 代理公司： | 11668 北京航智知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 墨伟;程连贞 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用高通量技术制备梯度Nb‑Si基合金薄膜的方法，包括如下步骤：(1)制备Nb‑16Si‑6Cr‑24Ti‑6Al基体；(2)制备Cr靶材；(3)制备xNb‑ySi‑zTi‑kAl合金靶材，其中，x＝55～65，y＝14～19，z＝18～25，k＝1～4，数值均为原子百分比；(4)将步骤(1)中的Nb‑16Si‑6Cr‑24Ti‑6Al基体安装在磁控溅射设备的夹具上，将步骤(2)中的Cr靶材放置在普通直流靶上，将步骤(3)中的xNb‑ySi‑zTi‑kAl合金靶材放置在射频靶上，利用磁控溅射技术，制备梯度Nb‑Si基合金薄膜。本方法便于大批量的对不同元素比例的Nb‑Si基合金进行性能测试，快速的选取出最优的元素成分比例，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 基合金 薄膜 合金靶材 高通量 靶材 磁控溅射技术 磁控溅射设备 夹具 原子百分比 工作效率 基体安装 性能测试 射频 | ||
【主权项】：
1.一种采用高通量技术制备梯度Nb-Si基合金薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)以Nb、Si、Ti、Cr、Al为合成原料，利用真空非自耗电弧熔炼技术，制备Nb-16Si-6Cr-24Ti-6Al基体；/n(2)以Cr为原料，利用真空非自耗电弧熔炼技术制备Cr靶材；/n(3)以Nb、Si、Ti、Al为合成原料，利用真空非自耗电弧熔炼技术制备Nb-16Si-22Ti-2Al合金靶材，其中，数值均为原子百分比；/n(4)将步骤(1)中的Nb-16Si-6Cr-24Ti-6Al基体安装在磁控溅射设备的夹具上，将步骤(2)中的Cr靶材放置在普通直流靶上，将步骤(3)中的Nb-16Si-22Ti-2Al合金靶材放置在射频靶上，利用磁控溅射技术，制备梯度Nb-Si基合金薄膜，/n其中，所制备的梯度Nb-Si基合金薄膜中，Nb元素含量在Nb-Si基合金薄膜中的变化具有等高线特征，且Nb元素含量由靠近Nb靶材的57at.％降低到远离Nb靶材的32at.％；Cr元素含量在Nb-Si基合金薄膜中的变化具有等高线特征，且Cr元素含量由靠近Cr靶材的40at.％降低到远离Cr靶材的6at.％。/n
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