[发明专利]一种改善碳化硅衬底上生长的氧化镓薄膜的方法有效
| 申请号： | 201811249850.X | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN109545657B | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 黄元琪;李培刚;唐为华 | 申请（专利权）人： | 北京镓族科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君;王文红 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供一种改善碳化硅衬底上生长的氧化镓薄膜的方法。所述的方法是对六方碳化硅衬底的表面进行预处理和热处理，然后生长氧化镓薄膜；预处理方法包括微波等离子清洗。本发明还提出所述方法制备得到的氧化镓薄膜。本发明通过使用碳化硅衬底，解决了以往使用蓝宝石衬底制备的β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 一种 改善 碳化硅 衬底 生长 氧化 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善碳化硅衬底上生长的氧化镓薄膜的方法，其特征在于，对六方碳化硅衬底的表面进行预处理和热处理，然后生长氧化镓薄膜；所述预处理的方法包括微波等离子清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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