[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201811251089.3 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN110323331A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 金海光;林杏莲;江法伸 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 蒋林清 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露涉及一种半导体装置及其制造方法。本发明实施例涉及一种半导体装置，其包含底部电极、顶部电极、切换层及扩散阻障层。所述顶部电极在所述底部电极上方。所述切换层在所述底部电极与所述顶部电极之间，且经配置以存储数据。所述扩散阻障层在所述底部电极与所述切换层之间以阻碍所述切换层与所述底部电极之间的离子的扩散。 | ||
| 搜索关键词： | 底部电极 切换层 半导体装置 顶部电极 扩散阻障层 存储数据 离子 制造 扩散 阻碍 配置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：底部电极；顶部电极，其在所述底部电极上方；切换层，其在所述底部电极与所述顶部电极之间且经配置以存储数据；及扩散阻障层，其在所述底部电极与所述切换层之间且经配置以阻碍所述切换层与所述底部电极之间的离子的扩散。
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