[发明专利]SRAM灵敏放大器电路及存储单元有效
| 申请号： | 201811251479.0 | 申请日： | 2018-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN111105827B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 柯蕾 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413;G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李笑笑;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SRAM灵敏放大器电路及存储单元，所述SRAM灵敏放大器电路包括控制信号生成单元、信号放大单元以及信号输出单元，其中：所述控制信号生成单元，与时钟信号产生单元以及所述信号放大单元连接，所述信号放大单元，与所述控制信号生成单元以及所述信号输出单元连接，所述信号放大单元包括：位线信号锁存电路、位线信号放大电路以及正反馈电路；所述位线信号锁存电路，与所述信号放大单元连接；所述位线信号放大电路，与所述位线信号锁存电路和所述正反馈电路连接；所述正反馈电路与所述信号放大电路和所述信号输出电路连接；信号输出单元，与所述信号放大单元连接。本发明方案可以改善读余量，并提高读操作的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | sram 灵敏 放大器 电路 存储 单元 | ||
【主权项】：
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