[发明专利]工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备

摘要

本发明公开了一种工艺气体传输装置、原子层沉积方法及沉积设备。包括：至少两个工艺气体源；至少两个供气管路，每个所述供气管路连接在工艺腔室和对应的所述工艺气体源之间；其中，每个所述供气管路均包括并联的至少两个供气支路，各所述供气支路用于选择性地将所述工艺气体源和所述工艺腔室连通。对于K值较低的前驱体，可以在工艺气体源内存储该前驱体，这样，该前驱体可以经由两个并联的供气支路进入到工艺腔室内，可以降低该前躯体在供气管路的滞留，并且增加单次该前驱体进入工艺腔室的输入量。根据Langmuir模型(也即公式1)，增加该前躯体的气体分压，可提高其饱和吸附率，从而可以降低ALD薄膜缺陷，提高薄膜性能。