[发明专利]二维无铅有机-无机杂化钙钛矿二极管光探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201811252314.5 申请日: 2018-10-25
公开(公告)号: CN109461820B 公开(公告)日: 2022-05-13
发明(设计)人: 印寿根;李琳;吴晓明;芮红松;高思明;李元侠;张楠 申请(专利权)人: 天津理工大学
主分类号: H01L51/46 分类号: H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48
代理公司: 天津耀达律师事务所 12223 代理人: 张耀
地址: 300384 *** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明公开一种二维无铅有机‑无机杂化钙钛矿二极管光探测器及其制备方法,属于钙钛矿光探测器技术领域。此类光探测器包括作为阳极的氧化铟锡玻璃衬底,作为空穴传输层的PEDOT:PSS,作为光敏层的二维无铅有机‑无机杂化钙钛矿系列材料,作为电子传输层的PCBM,作为阴极的金属铝薄膜。与现有技术相比,该系列钙钛矿材料中的锡元素取代了铅元素,克服了传统含铅钙钛矿材料的毒性问题;该二极管结构的光探测器,其制备工艺简单,可探测特定波长的光,且具有较高的探测率。这些优点将进一步促进此类钙钛矿材料在光电子器件中的应用。
搜索关键词: 二维 有机 无机 杂化钙钛矿 二极管 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.二维无铅有机‑无机杂化钙钛矿二极管光探测器,其特征是该光探测器包括:作为阳极的氧化铟锡玻璃衬底,旋涂于衬底之上的PEDOT:PSS作为空穴传输层,旋涂于PEDOT:PSS之上的钙钛矿系列材料作为光敏层,旋涂于光敏层上的PCBM作为电子传输层,蒸镀于PCBM上的金属铝薄膜作为阴极。
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