[发明专利]一种UV模具版光刻制作工艺在审
申请号: | 201811252625.1 | 申请日: | 2018-10-25 |
公开(公告)号: | CN109521641A | 公开(公告)日: | 2019-03-26 |
发明(设计)人: | 郑跃勇;刘斌 | 申请(专利权)人: | 宁波微迅新材料科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/60 | 分类号: | G03F1/60;G03F1/62 |
代理公司: | 宁波市鄞州甬致专利代理事务所(普通合伙) 33228 | 代理人: | 李迎春 |
地址: | 315000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种UV模具版光刻制作工艺,包括如下步骤:S1、提供一掩膜版,掩膜版为三层结构,包括上层光学高分子PC复合板材、下层中性UV光刻胶和将其两者粘接在一起的中间第一密着层;光刻胶通过光刻曝光形成纳米图纹;S2、提供一UV母模,母模为三层结构,包括上层中性UV固体胶、下层PC板材和将其两者粘接在一起的中间第二密着层;S3、将掩膜版放置于UV母模上,通过EVA紫外直射在光学高分子PC复合板材上对中性UV固体胶进行光刻,形成阴影区;S4、取出UV母模,对UV母模进行显影脱水;S5、坚膜。本发明采用PC板材来作为模具版,其生产成本大大降低;利用光学高分子PC板材、第一密着层和UV光刻胶来制作掩膜版,大大降低制作周期,更佳方便。 | ||
搜索关键词: | 母模 掩膜版 光学高分子 密着层 模具 光刻制作工艺 复合板材 三层结构 固体胶 粘接 下层 上层 光刻曝光 制作周期 对中性 光刻胶 阴影区 直射 光刻 坚膜 胶和 图纹 显影 脱水 生产成本 取出 制作 | ||
【主权项】:
1.一种UV模具版光刻制作工艺,其特征在于:包括如下步骤:S1、提供一掩膜版,所述掩膜版为三层结构,包括上层光学高分子PC复合板材、下层中性UV光刻胶和将其两者粘接在一起的中间第一密着层;所述光刻胶通过光刻曝光形成纳米图纹;S2、提供一UV母模,所述母模为三层结构,包括上层中性UV固体胶、下层PC板材和将其两者粘接在一起的中间第二密着层;S3、将所述掩膜版放置于所述UV母模上,通过EVA紫外直射在光学高分子PC复合板材上对中性UV固体胶进行光刻,形成阴影区;S4、取出UV母模,对UV母模进行显影脱水;S5、坚膜。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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