[发明专利]一种氮化铝晶体生长系统和方法在审

专利信息
申请号: 201811253103.3 申请日: 2018-10-25
公开(公告)号: CN109056071A 公开(公告)日: 2018-12-21
发明(设计)人: 田绪勇;武红磊;覃佐燕;郑瑞生 申请(专利权)人: 深圳大学
主分类号: C30B29/40 分类号: C30B29/40;C30B35/00
代理公司: 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 代理人: 袁文英
地址: 518060 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种氮化铝晶体生长系统和方法,氮化铝晶体生长系统包括:晶体生长炉和与其连接的电气控制柜;电气控制柜用于获取生长控制指令,将该指令发送给晶体生长炉;晶体生长炉用于接收生长控制指令,根据生长控制指令中的指示管理自身基于氮化铝材料生长氮化铝晶体的生长环境,基于该系统,可以通过对电气控制柜的控制,实现对晶体生长炉的控制,有效保证了工人的安全,还大大降低了氮化铝晶体生长过程中需要的人工操作,提升了氮化铝晶体生长的智能化和自动化,基于该智能化和自动化,氮化铝晶体的质量和生产效率得到了保证,并使得氮化铝晶体的生产过程可重复。
搜索关键词: 氮化铝晶体 晶体生长炉 电气控制柜 生长控制 生长系统 指令 智能化 自动化 氮化铝材料 人工操作 生产过程 生产效率 生长过程 生长环境 可重复 生长 保证 安全 管理
【主权项】:
1.一种氮化铝晶体生长系统,其特征在于,包括:晶体生长炉和电气控制柜,所述晶体生长炉与所述电气控制柜电气连接;所述电气控制柜用于获取生长控制指令,将所述生长控制指令发送给所述晶体生长炉,所述生长控制指令用于控制所述晶体生长炉按照所述生长控制指令中的指示对生长氮化铝晶体的生长环境进行管理;所述晶体生长炉用于接收所述生长控制指令,根据所述生长控制指令中的指示管理自身基于氮化铝材料生长氮化铝晶体的生长环境。
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