[发明专利]基于ZnO纳米棒/Si异质结的自驱动光电探测器及制备方法有效
申请号: | 201811254652.2 | 申请日: | 2018-10-26 |
公开(公告)号: | CN109360862B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 凌翠翠;郭天超;祝磊;李小芳;薛庆忠;侯志栋 | 申请(专利权)人: | 中国石油大学(华东) |
主分类号: | H01L31/0328 | 分类号: | H01L31/0328;H01L31/10;H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 266580 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明属于光探测技术领域,具体涉及一种自驱动光电探测器,该自驱动光电探测器,由上至下依次包括金属In点电极、金属Pd前电极、表面修饰有ZIF‑8的ZnO纳米棒薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极。表面修饰有ZIF‑8的ZnO纳米棒薄膜层是利用磁控溅射、水热法、氢气退火处理等方法制备的。测试结果显示,所制备薄膜器件表现出良好的自驱动光探测性能,具有性能稳定等优点。 | ||
搜索关键词: | 基于 zno 纳米 si 异质结 驱动 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基于ZnO纳米棒/Si异质结的自驱动光电探测器,其特征在于:包括金属In点电极、金属Pd前电极、表面修饰有ZIF‑8的ZnO纳米棒薄膜层、Si单晶基底和金属In背电极,表面修饰有ZIF‑8的ZnO纳米棒薄膜层设置在Si基底表面,金属Pd前电极在表面修饰有ZIF‑8的ZnO纳米棒薄膜层表面,金属In电极分别压制于金属Pd前电极和Si基底表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的