[发明专利]一种半极性镓氮外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 201811255304.7 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109560172B | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 方志来;吴征远 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 31200 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体材料技术领域，具体为一种高质量半极性（11‑22）镓氮（GaN）外延片及其制备方法。本发明方法采用金属有机物化学气相外延技术，外延片的制备步骤包括：首先在m面蓝宝石衬底上生长氮化硅（SiN | ||
| 搜索关键词： | 制备 半极性 外延片 薄层 镓氮 生长 半导体材料 金属有机物化学 气相外延技术 发光二极管 非对称性 红外波段 控制条件 生长条件 氮化硅 非对称 掩模层 衬底 可用 紫光 合并 | ||
【主权项】：
1.一种半极性镓氮外延片的制备方法，其特征在于，采用MOCVD技术，具体步骤为：/n（1）在衬底上生长SiN
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学，未经复旦大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811255304.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
