[发明专利]一种倒装LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201811256109.6 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109616564B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 张威;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种倒装LED芯片及其制作方法，属于半导体技术领域。所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反光层、绝缘层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘；所述绝缘层的上表面与所述N型焊盘的上表面和所述P型焊盘的上表面位于同一平面。本发明通过将绝缘层的上表面设置为与N型焊盘的上表面和P型焊盘的上表面在同一平面上，可以改善锡膏在粘接焊盘和支架时直接挤出到两个焊盘之间的状况，降低N型焊盘和P型焊盘导通的概率，提高倒装芯片的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 倒装 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种倒装LED芯片，所述倒装LED芯片包括衬底、N型半导体层、有源层、P型半导体层、反光层、绝缘层、P型电极、N型电极、N型焊盘和P型焊盘；所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽；所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述反光层在所述P型半导体层除所述P型电极所在区域之外的区域上；所述绝缘层铺设在所述凹槽内和所述反光层上，所述绝缘层上设有延伸至所述P型电极的第一通孔和延伸至所述N型电极的第二通孔；所述N型焊盘和所述P型焊盘间隔设置在所述绝缘层上，所述P型焊盘通过所述第一通孔延伸至所述P型电极，所述N型焊盘通过所述第二通孔延伸至所述N型电极；其特征在于，所述绝缘层的上表面与所述N型焊盘的上表面和所述P型焊盘的上表面位于同一平面。
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