[发明专利]一种功率器件及其制作方法

摘要

本发明提供一种功率器件及其制作方法，包括：第一导电类型的衬底，第一导电类型的第一外延层，沟槽，第一氧化硅层，第二氧化硅层，第三氧化硅层，第二多晶硅层，第二导电类型的第二外延层，第一导电类型的第三外延层，第二导电类型的第四外延层和第三多晶硅层，体区，源极，栅极，漏极，该功率器件避免了常规功率器件需要通过封装和保护器件连接的方法，缩小了器件面积，减少了封装制造成本，提高了产品可靠性。

主权项

1.一种功率器件的制作方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底上表面形成第一导电类型的第一外延层；在所述第一外延层上表面形成沟槽；在所述沟槽的底部和侧壁形成第一氧化硅层；在所述第一氧化层的表面形成第一多晶硅层；在所述第一多晶硅层的侧壁形成第二氧化硅层；在所述第一外延层上表面内形成第三氧化硅层，所述第三氧化硅层的一端与所述第一氧化硅层连接，所述第三氧化硅层的另一端与所述第二氧化硅层连接；在所述第一多晶硅层没有被所述第二氧化硅层所覆盖的部分注入离子形成第一导电类型的第二多晶硅层；在所述第二多晶硅层上表面形成第二导电类型的第二外延层；在所述第二外延层上表面形成第一导电类型的第三外延层；在所述第三外延层上表面分别形成第二导电类型的第四外延层和第三多晶硅层，所述第三多晶硅层位于所述第四外延层的两侧；在所述第一外延层内形成第二导电类型的体区，所述体区的至少部分表面裸露于所述第一外延层的上表面，所述体区的一端与所述第一氧化硅层连接；在所述体区内形成源区，所述源区的至少部分表面裸露于所述第一外延层的上表面，所述源区的一端与所述第一氧化硅层连接；在所述第一外延层上表面形成介质层；在所述介质层上方形成第一金属层，所述第一金属层贯穿所述介质层与所述源区连接形成源极；在所述介质层上方形成第二金属层，所述第二金属层贯穿所述介质层与所述第四外延层连接形成栅极；在所述衬底下表面形成第三金属层，所述第三金属层与所述衬底连接形成漏极。