[发明专利]一种基于铁电调控二维钙钛矿光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201811256418.3 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109449294A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 王建禄;王浩亮;沈宏;詹义强;林铁;孟祥建;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/48 |
| 代理公司： | 上海沪慧律师事务所 31311 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开基于铁电调控二维钙钛矿光电探测器及其制备方法。制备流程为在超声清洁后SiO2衬底上，采用光刻或掩模版蒸镀的方法制作栅电极，然后在此之上使用旋涂的方法制备聚偏氟乙烯‑三氟乙烯共聚物(P(VDF‑TrFE))有机铁电聚合物薄膜，经过退火处理，去除界面残留溶剂及保证薄膜具有良好结晶特性。在此之上，使用掩模版蒸镀源漏电极，最后在氮气环境下使用旋涂的方法，旋涂(PEA)2SnI4前驱体溶液，再经过退火使溶液挥发促进结晶制备完成(PEA)2SnI4光电场效应管器件。该器件对可见光光谱范围有较好响应，响应率为14.57A/W,探测率高达1.74x1012Jones。响应时间上升沿50ms，下降沿1.5s。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 旋涂 光电探测器 钙钛矿 掩模版 二维 铁电 薄膜 三氟乙烯共聚物 退火 聚偏氟乙烯 可见光光谱 前驱体溶液 残留溶剂 超声清洁 氮气环境 电聚合物 结晶特性 结晶制备 退火处理 光电场 漏电极 上升沿 探测率 下降沿 响应率 效应管 有机铁 栅电极 蒸镀源 响应 调控 衬底 光刻 挥发 蒸镀 去除 制作 保证 | ||
【主权项】：
1.一种基于铁电调控二维钙钛矿光电探测器，其特征在于：所述的二维钙钛矿光电探测器的结构具体为：在285nm二氧化硅氧化层的硅衬底之上，蒸镀金属金栅电极，厚度为50nm，然后制作P(VDF‑TrFE)铁电介质层，厚度250nm；在此之上，蒸镀金属金源电极和漏电极料，厚度为50nm；最后制备(PEA)2SnI4二维钙钛矿薄膜，厚度60nm。
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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