[发明专利]用于在堆叠层中蚀刻特征的方法在审
| 申请号： | 201811256527.5 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109994380A | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | 里奥尼德·贝劳;埃里克·赫德森;弗朗西斯·斯隆·罗伯茨 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 李献忠;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及用于在堆叠层中蚀刻特征的方法。提供了一种用于在含碳掩模下方的堆叠层中蚀刻特征的方法。将堆叠层冷却至低于‑20℃的温度。提供蚀刻气体，其包含提供游离氟的组分、含氢组分、含烃组分和含碳氟化合物组分。由该蚀刻气体生成等离子体。提供幅值为至少约400伏的偏压，以加速离子从等离子体到达堆叠层。相对于含碳掩模，在堆叠层中选择性地蚀刻特征。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠层 蚀刻特征 等离子体 蚀刻气体 掩模 含碳氟化合物 加速离子 游离氟 冷却 | ||
【主权项】：
1.一种用于在含碳掩模下方的堆叠层中蚀刻特征的方法，其包括：将所述堆叠层冷却至低于‑20℃的温度；提供包含提供游离氟的组分、含氢组分、含烃组分和含碳氟化合物组分的蚀刻气体；由所述蚀刻气体生成等离子体；提供幅值至少为约400伏的偏压，以加速离子从所述等离子体到达所述堆叠层；以及相对于所述含碳掩模在所述堆叠层中选择性地蚀刻特征。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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