[发明专利]一种高耐受性纳米相石墨烯复合陶瓷的制备方法在审
| 申请号： | 201811256607.0 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109160804A | 公开（公告）日： | 2019-01-08 |
| 发明（设计）人： | 付磊;刘津欣;笪煜民 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/584;C04B35/622;C01B32/186 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 薛玲 |
| 地址： | 430072 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高耐受性纳米相石墨烯复合陶瓷的制备方法，属于二维材料复合领域。先制备金属混合陶瓷纳米粉体基底，然后利用化学气相沉积的方法在基底表面催化生长纳米相石墨烯，完成纳米相石墨烯的制备；再对所得的纳米相石墨烯复合陶瓷粉体进行快速的放电等离子体烧结，实现纳米相石墨烯复合陶瓷的制备。本发明得到的石墨烯陶瓷材料具有优秀的导电导热性质，以及优秀的化学稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 石墨烯 纳米相 制备 复合陶瓷 高耐受 放电等离子体烧结 复合陶瓷粉体 化学气相沉积 陶瓷纳米粉体 化学稳定性 导热性质 二维材料 基底表面 金属混合 陶瓷材料 导电 催化 基底 复合 生长 | ||
【主权项】：
1.一种高耐受性纳米相石墨烯复合陶瓷的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1)制备金属混合陶瓷纳米粉体基底；2)在氢气以及惰性气氛中，通入碳源利用化学气相沉积的方法在步骤1)所得粉体基底表面催化生长纳米相石墨烯，完成纳米相石墨烯的制备；3)在隔绝空气的高真空条件下，对步骤2)所得的纳米相石墨烯复合陶瓷粉体进行快速的放电等离子体烧结，实现纳米相石墨烯复合陶瓷的制备。
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