[发明专利]一种CD4+记忆性T淋巴细胞的扩增培养方法在审

专利信息
申请号: 201811257117.2 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109402054A 公开(公告)日: 2019-03-01
发明(设计)人: 魏宗科;林科佳;胡锐;张若楠 申请(专利权)人: 深圳市润科生物科技有限公司
主分类号: C12N5/0783 分类号: C12N5/0783
代理公司: 深圳市精英专利事务所 44242 代理人: 王文伶
地址: 518000 广东省深圳市南山区粤海街*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及细胞培养技术领域,具体为一种CD4+记忆性T淋巴细胞的扩增培养方法。本发明通过在培养基中同时添加一定量的细胞因子IL‑2、IL‑7和IL‑21,并使培养过程中培养基中灭活自体血浆、细胞因子IL‑2、IL‑7和IL‑21保持在一定的浓度范围内,从而提升CD4+记忆性T淋巴细胞的扩增培养效果,提高CD4+记忆性T淋巴细胞的纯度及功能性。本发明的扩增培养方法可很好的适用于CD4+记忆性T淋巴细胞的扩增培养,能够诱导扩增出足够所需的细胞量,满足对该类T淋巴细胞体外扩增培养的需求,也因此采用本方法还可减少外周血的采集量。本发明方法成本相对较低,安全可靠,操作较为简单,便于推广使用。
搜索关键词: 扩增培养 记忆性 细胞因子 培养基 细胞培养技术 自体血浆 淋巴 外周血 细胞量 扩增 灭活 外扩 诱导 采集
【主权项】:
1.一种CD4+记忆性T淋巴细胞的扩增培养方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将CD4+T淋巴细胞加入至包被了CD3抗体和CD28抗体的培养瓶中,用T淋巴细胞培养基重悬,并按培养瓶内液体总体积5%的量添加灭活自体血浆,然后将培养瓶置于37℃及CO2体积浓度为5%的培养箱中培养24h;(2)向培养瓶内添加细胞因子IL‑2、细胞因子IL‑7和细胞因子IL‑21,并将培养瓶置于37℃及CO2体积浓度为5%的培养箱中继续培养;(3)在培养过程中,每隔两天向培养瓶内补加一次含灭活自体血浆、细胞因子IL‑2、细胞因子IL‑7和细胞因子IL‑21的T淋巴细胞培养基,其中灭活自体血浆在该T淋巴细胞培养基中的体积百分比为5%。
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