[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811257747.X | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109801968B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | 郑志昌;朱馥钰;柳瑞兴;雷明达;黄士芬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开实施例提供一种半导体元件，包括具有元件区域的半导体基板。隔离结构于封闭路径中横向延伸，以标定元件区域。第一源极/漏极区域及第二源极/漏极区域，位于元件区域中且横向相隔。第一源极/漏极区域的侧壁与隔离结构于第一隔离结构侧壁直接接触。第一源极/漏极区域的其余侧壁与隔离结构分隔。选择性导电沟道位于元件区域中，选择性导电沟道自第一源极/漏极区域横向延伸至第二源极/漏极区域。半导体元件还包括具有中央部分及第一外围部分的平板。中央部分覆盖选择性导电沟道，且第一外围部分朝第一隔离结构侧壁突出于中央部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：一半导体基板，包括一元件区域；一隔离结构，于一封闭路径中横向延伸，以标定该元件区域；一第一源极/漏极区域及一第二源极/漏极区域，位于该元件区域中，且横向相隔，其中该第一源极/漏极区域的一侧壁与该隔离结构于一第一隔离结构侧壁直接接触，且其中该第一源极/漏极区域的其余侧壁与该隔离结构分隔；一选择性导电沟道，位于该元件区域中，其中该选择性导电沟道自该第一源极/漏极区域横向延伸至该第二源极/漏极区域；及一平板，包括一中央部分及一第一外围部分，其中该中央部分覆盖该选择性导电沟道，且其中该第一外围部分朝该第一隔离结构侧壁突出于该中央部分。
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