[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201811257796.3 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109817717A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 吴以雯;杨复凯;李振铭;王美匀;李志鸿;卢柏全 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/78;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;冯志云 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体装置与其制作方法。在一实施例中，本发明提供半导体装置，其包括第一鳍状结构与第二鳍状结构，各自由基板延伸；第一栅极段位于第一鳍状结构上与第二栅极段位于第二鳍状结构上，且第一栅极段与第二栅极段沿着纵向方向对准；第一隔离结构位于沟槽中，且沟槽在上视图中沿着大致平行于第一鳍状结构与第二鳍状结构的方向，其中第一隔离结构分隔第一栅极段与第二栅极段；第一源极/漏极结构，位于第一鳍状结构上并与第一栅极段相邻；第二源极/漏极结构，位于第二鳍状结构上并与第二栅极段相邻；以及第二隔离结构，也位于沟槽中。第一源极/漏极结构与第二源极/漏极结构之间隔有第二隔离结构，且第二隔离结构的组成不同于第一隔离结构的组成。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍状结构 隔离结构 源极/漏极 半导体装置 自由基 分隔 平行 对准 延伸 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一第一鳍状结构与一第二鳍状结构，各自由一基板延伸；一第一栅极段，位于所述第一鳍状结构上；一第二栅极段，位于所述第二鳍状结构上，且所述第一栅极段与所述第二栅极段沿着一纵向方向对准；一第一隔离结构，位于一沟槽中，且所述沟槽在上视图中沿着大致平行于所述第一鳍状结构与所述第二鳍状结构的方向，其中所述第一隔离结构分隔所述第一栅极段与所述第二栅极段；一第一源极/漏极结构，位于所述第一鳍状结构上并与所述第一栅极段相邻；一第二源极/漏极结构，位于所述第二鳍状结构上并与所述第二栅极段相邻；以及一第二隔离结构，也位于所述沟槽中，其中所述第一源极/漏极结构与所述第二源极/漏极结构之间隔有所述第二隔离结构，且其中所述第二隔离结构的组成不同于所述第一隔离结构的组成。
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