[发明专利]具有包括场区带的终止结构的半导体器件以及制造方法有效
| 申请号： | 201811257913.6 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109727872B | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | R.埃尔佩尔特;R.鲁普;R.舍尔纳;L.韦尔汉-基利安;B.齐佩留斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/329;H01L21/331;H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;刘春元 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及具有包括场区带的终止结构的半导体器件以及制造方法。在碳化硅衬底的终止区中，通过离子注入来形成场区带，其中通过横向调制通过离子注入进入碳化硅衬底的掺杂剂的分布，将场区带中的水平净掺杂剂分布设定成在至少200 nm内从最大净掺杂剂浓度Nmax降至Nmax/e，其中e表示欧拉数。该场区带与漂移层形成第一pn结。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 场区 终止 结构 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在具有第一导电类型的碳化硅衬底的终止区中，通过离子注入形成具有第二导电类型的场区带，所述场区带与漂移层形成第一pn结，其中，通过横向调制通过所述离子注入进入所述碳化硅衬底的掺杂剂的分布，将所述场区带中的至少一个中的水平净掺杂剂分布设定成在至少200 nm内从最大净掺杂剂浓度Nmax降至Nmax/e，其中e表示欧拉数。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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