[发明专利]半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811259338.3 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN111106168B | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 曾丹;史波;肖婷;何昌 | 申请（专利权）人： | 珠海零边界集成电路有限公司;珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L21/28 |
| 代理公司： | 天津三元专利商标代理有限责任公司 12203 | 代理人： | 高凤荣 |
| 地址： | 519015 广东省珠海*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的终端耐压结构、半导体器件及其制造方法，包括氧化层和多个多晶硅场板，所述多晶硅场板包括横板、垂直设置于横板端部的直板，所述多晶硅场板横向间隔排列设置于氧化层中，且横板同一平面布置、相邻的两多晶硅场板的直板间形成电容器，运用本发明所述的外围终耐压结构可以有效的降低外围终端耐压结构占用的面积，进而降低整个功率半导体器件的生产成本，增加竞争力，同时，本发明采用特殊形状的多晶硅场板结构，增大了相邻多晶硅场板间的作用面积，有效的增大了板间电容，使得耐压更稳定，且多晶硅场板仅需一次多晶硅沉积步骤即可完成，其生产效率高、成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 终端 耐压 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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