[发明专利]半导体器件沟道层的制备方法及半导体器件沟道层有效
| 申请号： | 201811260736.7 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109473442B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 王启光;靳磊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11578 | 分类号： | H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 王亮;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件沟道层的制备方法及半导体器件沟道层。其中，所述制备方法包括以下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件内形成有沟道通孔，在所述沟道通孔内形成功能层；在所述功能层上沉积沟道材料层，所述沟道材料层包括离子掺杂型沟道材料层，所述沟道材料层上的靠近所述功能层的一侧具有第一离子掺杂浓度，所述第一离子掺杂浓度大于等于零；执行热处理工艺，以使所述沟道材料层至少在靠近所述功能层的一侧形成为沟道层，所述沟道层具有第二离子掺杂浓度，所述第二离子掺杂浓度大于零；其中，所述第二离子掺杂浓度大于所述第一离子掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 沟道 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件沟道层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供半导体器件，所述半导体器件内形成有沟道通孔，在所述沟道通孔内形成功能层；在所述功能层上沉积沟道材料层，所述沟道材料层包括离子掺杂型沟道材料层，所述沟道材料层上的靠近所述功能层的一侧具有第一离子掺杂浓度，所述第一离子掺杂浓度大于等于零；执行热处理工艺，以使所述沟道材料层至少在靠近所述功能层的一侧形成为沟道层，所述沟道层具有第二离子掺杂浓度，所述第二离子掺杂浓度大于零；其中，所述第二离子掺杂浓度大于所述第一离子掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
