[发明专利]一种基于运算放大器采样控制底噪的AB类放大器在审
| 申请号： | 201811261983.9 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109347446A | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 秦鹏举;卢昌鹏 | 申请（专利权）人： | 上海海栎创微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所(普通合伙) 31251 | 代理人： | 郭桂峰 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区丹桂*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 基于运算放大器采样控制底噪的AB类放大器，包括：第一电流采样电路的输出端与第一运算放大器的负输入端连接，输入端与第一P型偏置MOS管的源极连接；第二电流采样电路的输出端与第一运算放大器的正输入端连接，输入端与P型限压MOS管的漏极连接；第一运算放大器的输出端与P型限压MOS管的栅极连接；第三电流采样电路的输出端与第二运算放大器的负输入端连接，输入端与N型限压MOS管的漏极连接；第四电流采样电路的输出端与第二运算放大器的正输入端连接，输入端与第一N型偏置MOS管的源极连接；第二运算放大器的输出端与N型限压MOS管的栅极连接。本发明能够实现不额外使用高压MOS器件或者特别开发的减小衬底电流的MOS器件消除正反馈，降低AB类放大器底噪。 | ||
| 搜索关键词： | 运算放大器 输出端 电流采样电路 输入端 限压 底噪 采样控制 负输入端 源极连接 栅极连接 正输入端 漏极 偏置 高压MOS器件 衬底电流 正反馈 减小 开发 | ||
【主权项】：
1.一种基于运算放大器采样控制底噪的AB类放大器，其特征在于，包括：MOS管输出模块，包括接入第一偏置电压的第一端口和接入第二偏置电压的第二端口；MOS管偏置控制模块，包括第一N型偏置MOS管、第二N型偏置MOS管，第一P型偏置MOS管、第二P型偏置MOS管、第一运算放大器和第二运算放大器；所述第二P型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第一偏置电压；所述第二N型偏置MOS管分别与所述第一N型偏置MOS管和第一P型偏置MOS管串联输出所述第二偏置电压；所述所述第一N型偏置MOS管与第二P型偏置MOS管之间串联N型限压MOS管，所述第一P型偏置MOS管与所述第二N型偏置MOS管之间串联P型限压MOS管；第一电流采样电路的输出端与所述第一运算放大器的负输入端连接，输入端与所述第一P型偏置MOS管的源极连接；第二电流采样电路的输出端与所述第一运算放大器的正输入端连接，输入端与所述P型限压MOS管的漏极连接；所述第一运算放大器的输出端与所述P型限压MOS管的栅极连接；第三电流采样电路的输出端与所述第二运算放大器的负输入端连接，输入端与所述N型限压MOS管的漏极连接；第四电流采样电路的输出端与所述第二运算放大器的正输入端连接，输入端与所述第一N型偏置MOS管的源极连接；所述第二运算放大器的输出端与所述N型限压MOS管的栅极连接。
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