[发明专利]一种基于单晶硅片衬底的CdS/CdTe太阳电池

摘要

本发明公开了一种基于单晶硅片衬底的CdS/CdTe太阳电池的结构。通过选用电阻率为0.2Ωcm～30Ωcm的p‑型单晶硅片做衬底，然后在其一面依次沉积CdTe薄膜、n‑型CdS窗口层薄膜以及透明导电氧化物（TCO）薄膜，在其另一面依次沉积p‑型ZnTe:Cu背接触层薄膜和金属电极，最终形成基本结构为TCO/CdS/CdTe/Si/ZnTe:Cu/金属的异质结薄膜太阳电池。本发明所提出的新结构太阳电池，具有转换效率高，成本低廉的特点，同时这种电池与太阳光谱匹配好且光谱响应范围宽300nm～1100nm，适合于紫外‑可见‑红外环境的应用。

主权项

1.一种基于单晶硅片衬底的CdS/CdTe太阳电池，其特征在于包括以下结构：衬底为p‑型单晶硅片，此衬底硅片的一面沉积有CdTe薄膜、CdS窗口层薄膜以及透明导电氧化物薄膜，另外一面沉积有p‑型ZnTe:Cu背接触层薄膜和金属电极,从而形成基本结构为TCO/CdS/CdTe/Si/ZnTe:Cu/金属的太阳电池。