[发明专利]一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池生产领域，具体是一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散工艺。步骤一、扩散，保持载舟温度，按一定流量的氮气、三溴化硼和氧气进行扩散；步骤二、均化过程，保持扩散时温度，按照氮气保持一定流量进行均化处理；步骤三、推进一，保持氮气流量进行推进工艺；步骤四、推进二，降温推进；步骤五、降温完成扩散过程。本发明在提高了扩散的均匀性的同时，减小方阻波动范围，提高太阳能电池的转换效率。

主权项

1.一种N型晶体硅太阳电池的硼扩散工艺，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、扩散，将硅片放入扩散炉中，保持载舟温度为700～780℃，以2～10℃/min的速率升温至720～950℃进行扩散，按照氮气流量6L/min、三溴化硼流量1～8l/min、氧气流量1800ml/min的标准进行扩散，时间为7min；步骤二、均化过程，保持扩散时温度，按照氮气流量6L/min进行均化处理2min；步骤三、推进一，以790℃为基础温度，按照5℃/min的速率升温至930℃，开始推进工艺，保持氮气流量为6L/min，氧气流量2l/min，推进10min；步骤四、推进二，以900℃为基础温度，以5℃/min的速率降温至750℃，推进30min，保持氧气流量200ml/min；步骤五、降温至750～800℃，通氮气完成扩散过程，氮气流量5～10L/min。