[发明专利]AlGaN/GaNHEMT器件降级的平均激活能的新型提取方法有效
| 申请号： | 201811265433.4 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN109522617B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 王蕊;雷建明 | 申请（专利权）人： | 南京集芯光电技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/398 | 分类号： | G06F30/398 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市经济*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种AlGaN/GaN HEMT器件降级的平均激活能的新型提取方法，其步骤包括：通过动态阻抗提取电路提取器件中的动态导通阻抗；拟合提取的动态导通阻抗曲线，提取拟合的曲线斜率；分别计算器件在开关电路中的导通损耗和开关损耗，并换算成器件工作时由损耗产生的温升；建立激活能与动态导通阻抗R |
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| 搜索关键词： | algan ganhemt 器件 降级 平均 激活 新型 提取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaN/GaN HEMT器件降级的平均激活能的新型提取方法，其步骤包括：(1)通过动态阻抗提取电路提取AlGaN/GaN HEMT器件中的动态导通阻抗Rdson；(2)拟合提取的动态导通阻抗曲线，提取拟合的曲线斜率；(3)分别计算AlGaN/GaN HEMT器件在开关电路中的导通损耗PCON和开关损耗PSW；(4)将导通损耗PCON和开关损耗PSW换算成AlGaN/GaN HEMT器件工作时由损耗产生的温升ΔT；(5)建立激活能与动态导通阻抗Rdson的关系模型，得到AlGaN/GaN HEMT器件降级的平均激活能。
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