[发明专利]芯片集成结构在审
| 申请号： | 201811265966.2 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110544674A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 冯雪;刘兰兰;陈颖;叶柳顺;张柏诚;蒋晔;付浩然;李波 | 申请（专利权）人： | 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/49;H01L21/50;H01L21/56 |
| 代理公司： | 33250 杭州华进联浙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 舒丁<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉兴*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种芯片集成结构，涉及半导体制造工艺领域，所述结构包括：衬底，粘接在衬底上的芯片、位于芯片的侧面和芯片周围的衬底上的缓冲层、以及芯片引线，芯片引线自芯片沿固化后的缓冲层表面延伸至衬底，且芯片引线与位于缓冲层下的芯片侧面和缓冲层下的衬底表面绝缘。采用上述芯片集成结构可抑制芯片与衬底之间的连接导线断裂、脱粘失效等问题的发生，降低应力集中现象带来的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 芯片 芯片引线 缓冲层 芯片集成 半导体制造工艺 应力集中现象 缓冲层表面 衬底表面 连接导线 芯片侧面 绝缘 脱粘 粘接 固化 断裂 侧面 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种芯片集成结构，其特征在于，包括：衬底、粘接于所述衬底上的芯片、位于所述芯片的侧面和所述芯片周围的衬底上的缓冲层、以及芯片引线；所述芯片引线自所述芯片沿固化后的所述缓冲层表面延伸至所述衬底，且所述芯片引线与位于所述缓冲层下的芯片侧面和所述缓冲层下的衬底表面绝缘。/n
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