[发明专利]一种LED芯片电极的制备方法有效
申请号: | 201811266029.9 | 申请日: | 2018-10-29 |
公开(公告)号: | CN111106215B | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 李晓明;汤福国;王建华 | 申请(专利权)人: | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/36 | 分类号: | H01L33/36 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 261061 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种LED芯片电极的制备方法,在LED芯片外延层表面上先沉积一层正性光刻胶层,此正性光刻胶层处于负性光刻胶层和LED芯片外延层之间,且在制备过程中此部分正性光刻胶已经受到光照发生化学分解反应,此部分正性光刻胶更易去除,因负性光刻胶层覆盖在正性光刻胶层表面,负性光刻胶随着正性光刻胶一起去除,确保LED芯片不会留下胶膜,得到更洁净的LED芯片。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 芯片 电极 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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